Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK, IPL60R360P6SATMA1

Infineon の新しいCool MOS Thin PAK 5x6は、高電圧MOSFET用に特別に設計されたリードレスSMDパッケージで提供されています。この新しいパッケージは、5 x 6 mm2という小さい設置面積と、高さ1 mmという超低プロファイルを実現します。小型化パッケージと低寄生インダクタンスの組み合わせにより、電力密度重視の設計において、システムソリューションのサイズを縮小する新しい効果的な方法として使用できます。Thin PAK 5x6パッケージは、DPAKと同等の熱性能に加え、1.6 nHという非常に低いソースインダクタンスを特徴としています。このパッケージにより、パワーMOSFETの高速かつ効率的スイッチングが可能となり、スイッチング特性やEMIの点においても取り扱いが容易になります。

Infineon の新しいCool MOS Thin PAK 5x6は、高電圧MOSFET用に特別に設計されたリードレスSMDパッケージで提供されています。この新しいパッケージは、5 x 6 mm2という小さい設置面積と、高さ1 mmという超低プロファイルを実現します。小型化パッケージと低寄生インダクタンスの組み合わせにより、電力密度重視の設計において、システムソリューションのサイズを縮小する新しい効果的な方法として使用できます。Thin PAK 5x6パッケージは、DPAKと同等の熱性能に加え、1.6 nHという非常に低いソースインダクタンスを特徴としています。このパッケージにより、パワーMOSFETの高速かつ効率的スイッチングが可能となり、スイッチング特性やEMIの点においても取り扱いが容易になります。

FOMRdson * Qg と Eoss が非常に小さいため、損失が極めて低い

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