Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN60R600P7SATMA1

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梱包形態
RS品番:
220-7437
メーカー型番:
IPN60R600P7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

16A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

最大許容損失Pd

7W

順方向電圧 Vf

0.9V

規格 / 承認

No

高さ

1.8mm

長さ

6.7mm

幅

3.7 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、優れた性能と使いやすさを提供して、フォームファクタと価格競争力を向上させることで、低電力 SMPS の一般的な課題に対応するように設計されています。SOT-223パッケージは、DPAKの代わりとなるコスト効率の良い1対1のドロップインパッケージで、一部の設計ではフットプリントの削減も可能です。標準的な DPAK フットプリントに配置でき、同等の熱性能を発揮します。この組み合わせにより、SOT-223の CoolMOS P7は対象用途に最適です。700Vと800VのCoolMOS P7はフライバックトポロジーに最適化されています。600V CoolMOS P7 SJ MOSFETは、ハードスイッチングトポロジーとソフトスイッチングトポロジー（フライバック、PFC、LLC）に適しています。

低リンギング傾向、PFCとPWMステージにまたがる使用による使いやすさと迅速なデザインイン

スイッチング損失と伝導損失の低減による熱管理の簡素化

2kV ESD保護の為製造品質の向上と、より小さなフットプリントによる電力密度ソリューションの向上

様々なアプリケーションや電力範囲に対応可能

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