Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 16 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN60R600P7SATMA1
- RS品番:
- 220-7437
- メーカー型番:
- IPN60R600P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7437
- メーカー型番:
- IPN60R600P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 16A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 600mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9nC | |
| 最大許容損失Pd | 7W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 16A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9nC | ||
最大許容損失Pd 7W | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.8mm | ||
長さ 6.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、優れた性能と使いやすさを提供して、フォームファクタと価格競争力を向上させることで、低電力 SMPS の一般的な課題に対応するように設計されています。SOT-223パッケージは、DPAKの代わりとなるコスト効率の良い1対1のドロップインパッケージで、一部の設計ではフットプリントの削減も可能です。標準的な DPAK フットプリントに配置でき、同等の熱性能を発揮します。この組み合わせにより、SOT-223の CoolMOS P7は対象用途に最適です。700Vと800VのCoolMOS P7はフライバックトポロジーに最適化されています。600V CoolMOS P7 SJ MOSFETは、ハードスイッチングトポロジーとソフトスイッチングトポロジー（フライバック、PFC、LLC）に適しています。
低リンギング傾向、PFCとPWMステージにまたがる使用による使いやすさと迅速なデザインイン
スイッチング損失と伝導損失の低減による熱管理の簡素化
2kV ESD保護の為製造品質の向上と、より小さなフットプリントによる電力密度ソリューションの向上
様々なアプリケーションや電力範囲に対応可能
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