Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9 A, 360 mΩ, 36 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-223

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梱包形態
RS品番:
217-2543
メーカー型番:
IPN60R360P7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

IPN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

111W

順方向電圧 Vf

900mV

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

長さ

8.8mm

幅

8.8mm

自動車規格

なし

Infineon IPNシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大消費電力111W - IPN60R360P7SATMA1


このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチで、電子回路での制御された伝導のためのエンハンスメントモード動作を実現します。基板レベルアセンブリに適したコンパクトなSOT-223パッケージに収められた3ピンを介して、幅広い環境範囲とインターフェースで動作するように設計されています。

特長:


• 600 Vのドレイン許容差により、高電圧システムでの動作が可能
• 9Aの連続ドレイン電流により、中程度の電力負荷に対応
• 360 mΩ Rds(on)により、定格条件下での導通損失を最小限に抑制
• 111Wの消費電力により、持続的な熱処理を実現
• 36 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現

用途


• 高電圧電源スイッチング設計に最適
• DC-DCコンバータの出力段に最適
• 表面実装コンポーネントを必要とする電源と併用
• 制御回路のモータードライバースイッチに使用可能
• 産業機器のラインレベル電力管理に最適

動作中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲートは、過度のストレスを避けるため、ソースに対して20 Vのピークを超えてはなりません。

このデバイスは、使用中にどのような熱範囲に耐えられますか?


-40°C~150°Cで動作するように設計されており、低温スタートアップや高温動作条件に対応します。

プリント基板実装にはどのくらいの電気接続が可能ですか?


3つの電気ピンを備え、SOT-223表面実装形式で提供されます。

前方ダイオード経路で伝導する場合の標準的な順方向降下はどのくらいですか?


順方向電圧は、データシートテスト条件下で0.9 Vで指定されています。

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