Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN60R360P7SATMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2543
メーカー型番:
IPN60R360P7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPN

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

111W

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

幅

8.8 mm

長さ

8.8mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、優れた性能と使いやすさを提供し、フォームファクタと価格競争力を向上させることで、低電力 SMPS 市場の一般的な課題に対応できるように設計されています。SOT-223 パッケージは DPAK の代わりとなるコスト効果の高い 1 対 1 ドロップイン方式で、一部の設計でフットプリントを削減することもできます。標準的な DPAK フットプリントに配置でき、同等の熱性能を発揮します。この組み合わせにより、 SOT-223 の CoolMOS ™ P7 はターゲット用途に最適です。

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