Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 100 A, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN60R360PFD7SATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-2269
メーカー型番:
IPN60R360PFD7SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPN

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

本600V CoolMOS™ PFD7 スーパージャンクションMOSFET(IPN60R360PFD7S)は、民生機器用のCoolMOS™ 7の補完製品です。SOT-223パッケージのIPN60R360PFD7Sは、RDS(on)値が360 mΩであるため、スイッチング損失が低くなっています。

極めて低いFOM RDS(on) x Eoss

堅牢な高速ボディダイオードを内蔵

最大2kVまでのESD保護

幅広いRDS(on) 値

優れた整流耐性

低EMI

幅広いパッケージラインアップ

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