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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	700V
	シリーズ	CoolMOS
	パッケージ型式	TO-251
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	900mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	30.5W
	動作温度 Min	-40°C
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	6.8nC
	動作温度 Max	150°C
	長さ	6.6mm
	規格 / 承認	No
	高さ	6.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V
	シリーズ CoolMOS
	パッケージ型式 TO-251
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 30.5W
	動作温度 Min -40°C
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.8nC
	動作温度 Max 150°C
	長さ 6.6mm
	規格 / 承認 No
	高さ 6.1mm
	自動車規格なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。最新の CoolMOS P7 は、充電器やアダプタ、照明、 TV など、コスト重視の消費者市場向け用途に最適化されたプラットフォームです。

製品検証対応JEDEC規格に準拠

低スイッチング損失(Eoss)

ESD保護ダイオードを内蔵

優れた熱挙動

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-251, IPSA70R900P7SAKMA1

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