Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-251

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本75個入り) 小計：*

￥7,700.025

(税抜)

￥8,470.05

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年10月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
75 - 300￥102.667￥7,700
375 - 675￥101.04￥7,578
750 - 1800￥95.28￥7,146
1875 - 3675￥92.813￥6,961
3750 +￥89.52￥6,714

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4712
メーカー型番:
IPSA70R600P7SAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-251

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.5nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

43.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.6mm

高さ

6.1mm

幅

2.38 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。最新の CoolMOS P7 は、充電器やアダプタ、照明、 TV など、コスト重視の消費者市場向け用途に最適化されたプラットフォームです。

製品検証対応JEDEC規格に準拠

低スイッチング損失(Eoss)

ESD保護ダイオードを内蔵

優れた熱挙動

関連ページ