Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 700 V, 5.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251, IPSA70R2K0P7SAKMA1

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220-7445
メーカー型番:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

5.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-251

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.8nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

17.6W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.6mm

高さ

6.1mm

規格 / 承認

No

幅

2.38 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOSは、スーパージャンクション（SJ）原理に基づいて設計された、Infineon Technologiesがパイオニアとなる高電圧パワーMOSFETの革新的な技術です。最新のCool MOS P7は、充電器、アダプター、照明、テレビなど、消費者市場におけるコスト重視のアプリケーションをターゲットにした最適化されたプラットフォームです。この新シリーズは、高速スイッチングが可能なスーパージャンクションMOSFETのすべての利点を持ち、優れた価格性能比と使いやすさを実現しています。この技術は、最高の効率基準を満たし、高い電力密度をサポートするため、超薄型設計に最適です。

FOM RDS(on)*QgとRDS(on)*Eossが非常に小さいための低損失

優れた温度特性

ESD保護用ダイオードを内蔵

低スイッチング損失(Eoss)

JEDECの標準規格に準拠した製品の検証

コスト競争力のあるテクノロジー

低温

高耐久性

高いスイッチング周波数での効率向上が可能

高電力密度設計と小型化が可能

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