Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 700 V, 9.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251, IPSA70R1K2P7SAKMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥3,911.00

(税抜)

￥4,302.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,425 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 25￥156.44￥3,911
50 +￥151.28￥3,782

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
220-7443
メーカー型番:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-251

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

25W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.8nC

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Max

150°C

高さ

6.1mm

幅

2.38 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.6mm

自動車規格

なし

Infineon 700V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、現在と特に将来のフライバックトポロジの動向に合わせて開発されました。携帯電話の充電器やノートPCのアダプタなどの低電力SMPS市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べ、基本的な性能向上を実現しています。700V Cool MOS P7は、お客様の声と20年以上のスーパージャンクションMOSFETの経験を組み合わせることで、ターゲットアプリケーションに最適な特性を実現します。

超低 FOM R DS （ on ） x E oss; Qg、Ciss、Cossの低減

高性能化テクノロジー

低スイッチング損失(Eoss)

高効率

優れた温度特性

高速スイッチングが可能

保護用ツェナーダイオードを内蔵

最適化された3VのV(GS)th、±0.5Vの小さい公差

細かく設定されたポートフォリオ

コスト競争力のあるテクノロジー

C6 テクノロジーと比較して、2.4 %の効率向上と12Kのデバイス温度低減を実現

高いスイッチング速度でのさらなる効率向上

磁性体部品の小型化により部品コスト削減

HBMクラス2レベルまでの高いESD耐性

運転しやすくデザインインが容易

小型フォームファクタと高電力密度設計を実現

最も適した製品を選ぶための優れた選択

関連ページ