Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 99.6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
220-7460
メーカー型番:
IPW65R110CFDAFKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

99.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

277.8W

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

高さ

21.1mm

幅

5.21 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 650 V CoolMOS CFDA スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、市場をリードするInfineon 第 2 世代の車載用認定済み高電圧CoolMOS パワーMOSFETです。650V CoolMOS CFDA シリーズは、自動車産業が求められる高い品質と信頼性に加え、高速ボディダイオードを内蔵しています。

高速ボディダイオードを内蔵した、市場初の 650V 車載用認定技術

ハードコミュテーション時の電圧オーバーシュートを抑制 - di/dtとdv/dtを自己抑制

低いゲート電荷量 Qg

ボディダイオードの繰返し整流時の低Q rrと低Q oss

ターンオンとターンオフの遅延時間の短縮

高ブレークダウン電圧による安全性の向上

EMIの発生を低減し、設計を容易にする

軽負荷効率の向上

低スイッチング損失

より高いスイッチング周波数、高デューティサイクルが可能

高い品質と信頼性

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