Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 99.6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,000.00

(税抜)

￥2,200.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 148 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 6￥1,000.00￥2,000
8 - 14￥959.50￥1,919
16 - 18￥919.50￥1,839
20 - 22￥878.00￥1,756
24 +￥838.00￥1,676

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
220-7462
メーカー型番:
IPW65R110CFDAFKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

99.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

277.8W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

16.13mm

幅

5.21 mm

高さ

21.1mm

自動車規格

なし

Infineon 650 V CoolMOS CFDA スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、市場をリードするInfineon 第 2 世代の車載用認定済み高電圧CoolMOS パワーMOSFETです。650V CoolMOS CFDA シリーズは、自動車産業が求められる高い品質と信頼性に加え、高速ボディダイオードを内蔵しています。

高速ボディダイオードを内蔵した、市場初の 650V 車載用認定技術

ハードコミュテーション時の電圧オーバーシュートを抑制 - di/dtとdv/dtを自己抑制

低いゲート電荷量 Qg

ボディダイオードの繰返し整流時の低Q rrと低Q oss

ターンオンとターンオフの遅延時間の短縮

高ブレークダウン電圧による安全性の向上

EMIの発生を低減し、設計を容易にする

軽負荷効率の向上

低スイッチング損失

より高いスイッチング周波数、高デューティサイクルが可能

高い品質と信頼性

関連ページ