Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 60 V, 363 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, IRF60SC241ARMA1

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RS品番:
220-7472
メーカー型番:
IRF60SC241ARMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

363A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

StrongIRFET

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.95mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

311nC

最大許容損失Pd

2.4W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.2mm

高さ

4.4mm

自動車規格

なし

Infineon 最新60V Strong IRFETパワーMOSFETデバイスは、高電流と低RDS(on)の両方に最適化されており、高電流バッテリー駆動アプリケーションに最適なソリューションです。

低 RDS(on)

高電流に対応

業界標準パッケージ

柔軟なピン配列

10Vゲート駆動に最適化

導通損失の低減

電力密度の向上

既存デバイスからの置き換えが可能

設計の自由度向上

ノイズ環境下での誤作動に対する耐性を提供

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