Infineon Nチャンネル ダイオード内蔵150 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

Infineon の OptiMOS N チャンネルパワー MOSFET は、効率、電力密度、コスト効果を高めるために開発されています。高性能アプリケーション向けに設計され、高いスイッチング周波数に最適化されたOptiMOS製品は、業界最高水準の性能を発揮します。OptiMOS パワーMOSFET ポートフォリオは、Strong IRFETによって補完されており、強力な組み合わせを生み出しています。Strong IRFET MOSFETの堅牢で優れた価格性能と、OptiMOS MOSFETのクラス最高の技術の完璧なマッチングのメリットを享受することができます。どちらの製品ファミリも、最高の品質基準と性能要求に応えています。12V→300VまでMOSFETをカバーする共同ポートフォリオは、SMPS、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御・駆動、インバーター、コンピューティングなど低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応することができます。

低ゲート・ドレイン電荷量でスイッチング損失を低減


設計を簡素化するために有効なCossを含む完全な静電容量特性
(アプリケーションノート AN1001参照)
アバランシェ電圧と電流を完全特性化

鉛未使用

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。