Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 24 A, 78 mΩ, 25 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 915-5023
- メーカー型番:
- IRFR4620TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 915-5023
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- IRFR4620TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 78mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 144W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 7.49mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 78mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 144W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 7.49mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 200V、最大連続ドレイン電流 24A - IRFR4620TRLPBF
このnチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、電子システムにおけるスイッチングおよび電力変換の役割を担うように設計された面実装パワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作するため過酷な熱環境に適しており、堅牢なドレインソース性能を必要とする用途向けに高電圧スイッチング機能を備えています。
特長：
• 200Vの定格電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 78mΩのRds(on)により、導通損失を低減
• 25nC標準値ゲート電荷により、高速ゲートスイッチングが可能
• 最大144Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応
• 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 78mΩのRds(on)により、導通損失を低減
• 25nC標準値ゲート電荷により、高速ゲートスイッチングが可能
• 最大144Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応
用途
• 電源の高出夏DC-DCコンバーターに最適
• 産業システムのモータードライブ用スイッチング段階に最適
• 200Vの許容差を必要とするバッテリー管理回路で使用
• パワーモジュールの同期整流に使用可能
• 産業システムのモータードライブ用スイッチング段階に最適
• 200Vの許容差を必要とするバッテリー管理回路で使用
• パワーモジュールの同期整流に使用可能
高速スイッチングを行う場合、ゲートドライブに関してどのような点を考慮すべきでしょうか？
電流供給およびシンク可能なドライバを使用して、標準25nCの総ゲート電荷予算内でゲートを電荷し、スイッチング速度と移行損失を最小限に抑えることができます。
熱管理は、高電流での連続動作にどのように影響しますか？
24Aの連続電流と最大144Wの消費電力を維持するには、十分な基板銅面積またはヒートシンクを確保し、指定された動作範囲内のジャンクション温度を維持します。
損傷を防止するためのゲート電圧およびドレイン電圧の制限は？
ゲート‐ソース間電圧を±20V以内に保ち、あらゆる動作条件下でドレインソース間電圧が最大200Vを超えないようにします。
このデバイスは、低温および高温環境でどのように動作しますか？
-55°C～175°Cで動作するように設定されているため、設計マージンはその温度範囲におけるオン抵抗変動などのパラメータの変化を考慮する必要があります。
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