Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプPチャンネル, 20 V, 5.6 A, 50 mΩ, 16 nC, 2ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 220-7501
- メーカー型番:
- IRLMS6802TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7501
- メーカー型番:
- IRLMS6802TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 3mm | |
| 高さ | 3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 3mm | ||
高さ 3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon インターナショナル整流器からのPチャンネルMOSFETは、先進のプロセス技術を活用し、シリコン面積あたりのオン抵抗が極めて低くなっています。このため、バッテリーや負荷管理アプリケーションに使用する場合、非常に効率の良いデバイスを設計者に提供することができます。Micro6パッケージは、リードフレームをカスタマイズすることで、同サイズのSOT-23に比べRDS(on)が60%低いHEXFET®パワーMOSFETを実現しています。このパッケージは、基板スペースが限られているアプリケーションに最適です。独自の熱設計とRDS(on)低減により、SOT-23に比べて約300%の電流処理能力向上を実現します。
超低オン抵抗
P チャンネル MOSFET
表面実装
テープ & リール梱包で提供
鉛未使用
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