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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	NTP125N
	パッケージ型式	TO-220
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	125mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	171W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	44nC
	動作温度 Max	175°C
	幅	4.7 mm
	長さ	10.67mm
	高さ	16.3mm
	規格 / 承認	Pb-Free and are RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ NTP125N
	パッケージ型式 TO-220
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 125mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 171W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC
	動作温度 Max 175°C
	幅 4.7 mm
	長さ 10.67mm
	高さ 16.3mm
	規格 / 承認 Pb-Free and are RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - NTP125N65S3H

ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET は、高電圧スーパージャンクション（SJ）MOSFETであり、電荷バランス技術を活用して優れた低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先進的な技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高い dv/dt レートに耐えられます。

超低ゲート電荷

低実効出力容量： 379 pF

100%アバランシェ耐量試験済み

超低ゲート電荷

低実効出力容量： 379 pF

100%アバランシェ耐量試験済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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