型番

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 26.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerDI3333-8

RS品番:: 222-2872
メーカー型番:: DMT4014LDV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 26.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerDI3333-8

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10000 - 18000	￥50.296	￥100,592
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50000 - 98000	￥49.641	￥99,282
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RS品番:: 222-2872
メーカー型番:: DMT4014LDV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	26.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	DMT
	パッケージ型式	PowerDI3333-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.019Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.7nC
	最大許容損失Pd	2.1W
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Min	-55°C
	トランジスタ構成	デュアル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 26.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ DMT
	パッケージ型式 PowerDI3333-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.019Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.7nC
	最大許容損失Pd 2.1W
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Min -55°C
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - DMT4014LDV-7

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低 RDS （ ON ）—オン状態での電力損失を最小限に抑えることが可能

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク電流

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 26.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerDI3333-8

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