型番

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 21.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerDI3333-8

RS品番:: 222-2874
メーカー型番:: DMT4015LDV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 21.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージPowerDI3333-8

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10000 - 18000	￥44.236	￥88,472
20000 - 48000	￥44.097	￥88,194
50000 - 98000	￥43.959	￥87,918
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RS品番:: 222-2874
メーカー型番:: DMT4015LDV-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	21.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	DMT
	パッケージ型式	PowerDI3333-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.02Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	2W
	順方向電圧 Vf	0.7V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	8.6nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	16 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	デュアル
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 21.2A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ DMT
	パッケージ型式 PowerDI3333-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.02Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 2W
	順方向電圧 Vf 0.7V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.6nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 16 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成デュアル
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Datasheet - DMT4015LDV-7

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク電流

ESD 保護ゲート

DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 21.2 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージPowerDI3333-8

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