DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI3333, DMT35M4LFVW-7
- RS品番:
- 213-9206
- メーカー型番:
- DMT35M4LFVW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 100 - 850 | ¥69.96 | ¥1,749 |
| 875 - 1225 | ¥59.84 | ¥1,496 |
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- RS品番:
- 213-9206
- メーカー型番:
- DMT35M4LFVW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | DMT35M4LFVW | |
| パッケージ型式 | PowerDI3333 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 600mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 2.2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ DMT35M4LFVW | ||
パッケージ型式 PowerDI3333 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.1nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 2.2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.85mm | ||
長さ 3.4mm | ||
幅 3.4 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMT35M4LFVW シリーズは、 N チャンネル MOSFET です。オン状態の抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
DiodesZetex DMT35M4LFVW シリーズは、 N チャンネル MOSFET です。オン状態の抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
100 % クランプ解除誘導型スイッチング
本番環境でのテスト:信頼性と堅牢性に優れたエンドを確保します 用途
100 % クランプ解除誘導型スイッチング
本番環境でのテスト:信頼性と堅牢性に優れたエンドを確保します 用途
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