DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 16.1 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージVDFN
- RS品番:
- 222-2880
- メーカー型番:
- DMT64M8LCG-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 4000 - 18000 | ¥88.677 | ¥177,354 |
| 20000 - 28000 | ¥87.353 | ¥174,706 |
| 30000 - 38000 | ¥86.03 | ¥172,060 |
| 40000 + | ¥84.706 | ¥169,412 |
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- RS品番:
- 222-2880
- メーカー型番:
- DMT64M8LCG-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 16.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | VDFN | |
| シリーズ | DMT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.16W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 幅 | 0.8 mm | |
| 高さ | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 16.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 VDFN | ||
シリーズ DMT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
最大許容損失Pd 2.16W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 47.5nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.3mm | ||
幅 0.8 mm | ||
高さ 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、低RDS(ON)を実現しながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。このデバイスは、ノートPCのバッテリー電源管理、ロードスイッチなどに最適です。
高変換効率
低 RDS ( ON )—オン状態での電力損失を最小限に抑えることが可能
低入力静電容量
高速スイッチング速度
ESD 保護ゲート
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