仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 9.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 VDFN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 1.9W
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.2nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 0.75V
	トランジスタ構成デュアル
	動作温度 Max -55°C
	高さ 0.8mm
	規格 / 承認 J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS
	長さ 3.05mm
	幅 3.05 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

低入力静電容量

高速スイッチング速度

低入出力リーク

用途

パワー管理機能

アナログスイッチ

2 DiodesZetex パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 9.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージVDFN

関連ページ