2 DiodesZetex パワーMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 9.1 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージVDFN
- RS品番:
- 182-6931
- メーカー型番:
- DMT6018LDR-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 20000 - 90000 | ¥67.966 | ¥679,660 |
| 100000 - 140000 | ¥66.952 | ¥669,520 |
| 150000 - 190000 | ¥65.937 | ¥659,370 |
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- RS品番:
- 182-6931
- メーカー型番:
- DMT6018LDR-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | VDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 1.9W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.75V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 幅 | 3.05 mm | |
| 規格 / 承認 | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| 長さ | 3.05mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 VDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 1.9W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.2nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
順方向電圧 Vf 0.75V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max -55°C | ||
高さ 0.8mm | ||
幅 3.05 mm | ||
規格 / 承認 J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
長さ 3.05mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。
低オン抵抗
低入力静電容量
高速スイッチング速度
低入出力リーク
用途
パワー管理機能
アナログスイッチ
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