Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 31 A, 99 mΩ, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
222-4875
メーカー型番:
IPA60R099P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

シリーズ

IPA60R

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

29W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPA60RシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧1200V、最大連続ドレイン電流31A - IPA60R099P7XKSA1


このMOSFETは、パワーエレクトロニクスのNチャンネルエンハンスメントモード用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。広い温度範囲で動作し、表面実装用のTO-220パッケージで提供され、高いドレインソース電圧処理と中程度の連続電流が必要な場合に実用的なソリューションを提供します。

特長:


• 1200 Vドレイン・ソース機能により、高電圧スイッチングを実現
• 31Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 99 mΩ RDS(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制
• 29Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 30 Vゲート・ソース・リミットにより、堅牢なゲート・ドライブ・マージンを実現
• -55°C~+150°Cの動作範囲により、幅広い温度耐性を実現

用途


• 産業用高電圧スイッチ回路に最適
• 高電圧に対応する電力コンバーターに最適
• Nチャンネルスイッチングを必要とするモーター駆動段に使用
• インバータ出力ステージ設計に使用可能
• 高電圧トランジスタの実験室での評価に最適

ヒートシンクへの取り付けには、どのようなパッケージが必要ですか?


ヒートシンクや表面取り付けに適したTO-220パッケージで提供されます。

信頼性の高い動作を実現するためには、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


最大許容ゲート-ソース間電圧は30 Vで、ドライブ電圧はこの値内に保つ必要があります。

熱ストレスは連続電流性能にどのように影響しますか?


最大定格連続ドレイン電流は31 Aで、29 Wの消費電力制限内で維持するために適切な冷却で管理する必要があります。

動作時に対応できる周囲温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスは、-55°C~+150°Cの温度範囲で動作し、幅広い環境条件や高温条件に対応します。

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