Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 31 A, 99 mΩ, 3ピン, パッケージ:TO-220
- RS品番:
- 222-4875
- メーカー型番:
- IPA60R099P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計:*
¥4,325
(税抜)
¥4,758
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年3月03日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ¥865.00 | ¥4,325 |
| 10 + | ¥841.60 | ¥4,208 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4875
- メーカー型番:
- IPA60R099P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 31A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| シリーズ | IPA60R | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 99mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 29W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 31A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
シリーズ IPA60R | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 99mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 29W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPA60RシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧1200V、最大連続ドレイン電流31A - IPA60R099P7XKSA1
このMOSFETは、パワーエレクトロニクスのNチャンネルエンハンスメントモード用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。広い温度範囲で動作し、表面実装用のTO-220パッケージで提供され、高いドレインソース電圧処理と中程度の連続電流が必要な場合に実用的なソリューションを提供します。
特長:
• 1200 Vドレイン・ソース機能により、高電圧スイッチングを実現
• 31Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 99 mΩ RDS(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制
• 29Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 30 Vゲート・ソース・リミットにより、堅牢なゲート・ドライブ・マージンを実現
• -55°C~+150°Cの動作範囲により、幅広い温度耐性を実現
• 31Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 99 mΩ RDS(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制
• 29Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 30 Vゲート・ソース・リミットにより、堅牢なゲート・ドライブ・マージンを実現
• -55°C~+150°Cの動作範囲により、幅広い温度耐性を実現
用途
• 産業用高電圧スイッチ回路に最適
• 高電圧に対応する電力コンバーターに最適
• Nチャンネルスイッチングを必要とするモーター駆動段に使用
• インバータ出力ステージ設計に使用可能
• 高電圧トランジスタの実験室での評価に最適
• 高電圧に対応する電力コンバーターに最適
• Nチャンネルスイッチングを必要とするモーター駆動段に使用
• インバータ出力ステージ設計に使用可能
• 高電圧トランジスタの実験室での評価に最適
ヒートシンクへの取り付けには、どのようなパッケージが必要ですか?
ヒートシンクや表面取り付けに適したTO-220パッケージで提供されます。
信頼性の高い動作を実現するためには、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
最大許容ゲート-ソース間電圧は30 Vで、ドライブ電圧はこの値内に保つ必要があります。
熱ストレスは連続電流性能にどのように影響しますか?
最大定格連続ドレイン電流は31 Aで、29 Wの消費電力制限内で維持するために適切な冷却で管理する必要があります。
動作時に対応できる周囲温度範囲はどのくらいですか?
このデバイスは、-55°C~+150°Cの温度範囲で動作し、幅広い環境条件や高温条件に対応します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 1200 V 99 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 600 V 99 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 1200 V 160 mΩ パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ 4ピン, パッケージ:TO-220
- Infineon MOSFET 650 V 99 mΩ パッケージ:TO-263
