Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 50 A, 7.8 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
222-4666
メーカー型番:
IPD50N06S4L08ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

最大許容損失Pd

71W

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

幅

6.22mm

長さ

6.5mm

高さ

2.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流50A - IPD50N06S4L08ATMA2


このMOSFETは、表面実装Nチャンネル強化デバイスで、過酷な動作条件下での高電流スイッチング向けに設計されています。自動車および産業環境に特徴的な広い温度範囲で、堅牢な伝導、中程度の電圧処理、動作を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 7.8 mΩの低伝導抵抗により、伝導損失を低減
• 50Aの高い連続電流容量により、高負荷スイッチングに対応
• 60Vドレイン・ソース定格により、中電圧システムに対応
• 71Wの最大消費電力により、高い熱処理を実現
• 標準ゲート電荷 49nC で、スイッチング動作の予測が容易
• 最大16Vのゲートソース電圧許容差により、柔軟なドライブレベルを実現

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• 輸送システムのDC-DCコンバータに最適
• 高電流を必要とするモーター駆動段階に使用
• バッテリ管理および電源ステアリングに使用可能
• 表面実装アセンブリの高出力スイッチングに使用

どのような温度範囲で動作しますか?


-55°C~175°Cまでの連続動作をサポートします。

どのようなパッケージと取付方式を使用していますか?


このコンポーネントは、表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。

電気接続数はどれくらいですか?


ゲート、ドレイン、ソース接続用の3ピンを備えています。

導通時の順方向電圧特性は何ですか?


このデバイスの導通時の順方向電圧は1.3 Vです。

どのような自動車認定レベルに適合していますか?


AEC-Q101車載グレード仕様に適合しています。

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