Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 50 A, 9 mΩ, 17 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
223-8518
メーカー型番:
IPD50N06S409ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

71W

順方向電圧 Vf

950mV

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流50A - IPD50N06S409ATMA2


このMOSFETは、高電流と中程度の電圧処理を必要とする電子システムで電力を制御するために設計された表面実装Nチャンネル強化デバイスです。過酷な熱環境に適した幅広い温度範囲で動作し、効率的なスイッチングと電源管理が求められる用途向けに設計されています。

特長:


• 低オン抵抗により、高電流動作時の導通損失を低減
• 高い連続ドレイン容量により、50 Aの持続電流をサポート
• 60 Vドレイン・ソース定格により、中電圧電力段階を実現
• 71Wの消費電力により、高い熱負荷に対応可能
• 17 nCの標準ゲート充電により、比較的高速なスイッチングトランジションを実現
• 20 Vのゲート許容差により、高いゲートドライブ電圧に対応

用途


• 同期降圧コンバータスイッチングステージに最適
• 産業用コントローラーのモータドライバパワーステージに最適
• 高電流処理を必要とするバッテリ管理システムで使用
• 通信機器のDC-DC電源変換に使用可能
• 表面実装アセンブリの配電モジュールに最適

このデバイスの許容ゲートドライブ範囲はどのくらいですか?


ゲート電圧制限を超えることなく、ゲートとソース間で最大20 Vの電圧を駆動できます。

熱範囲は過酷な環境での展開にどのように影響しますか?


-55 → 175 °Cで動作し続けるため、極端な熱が発生する幅広い温度用途でも動作できます。

組み立てには、どのような包装および取り付け方法を使用しますか?


アセンブリへの表面実装配置用に設計されたTO-252パッケージで提供されます。

オン状態での効率を示す伝導特性は?


最大9 mΩのドレイン・ソース抵抗により、高電流での電圧降下と伝導損失を最小限に抑えます。

順方向電圧は低電圧電力段にどのように影響しますか?


0.95 Vの順方向電圧により、導通中にデバイス間のさらなる電圧降下を制限し、効率を向上させます。

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