Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD30N06S215ATMA2

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梱包形態
RS品番:
222-4664
メーカー型番:
IPD30N06S215ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.5mm

幅

6.22 mm

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定

OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET

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