Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
222-4672
メーカー型番:
IPD60R280P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

53W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

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