Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 12 A, 280 mΩ, 18 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥309,600.00

(税抜)

￥340,550.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥123.84￥309,600
5000 - 22500￥123.042￥307,605
25000 - 35000￥121.009￥302,523
37500 - 47500￥118.96￥297,400
50000 +￥116.938￥292,345

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4672
メーカー型番:
IPD60R280P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大許容損失Pd

53W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定

OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。