Infineon MOSFET650 V 31 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3

Infineon 600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けのCoolMOS 7を補完します。TO 252 DPAKパッケージのCoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、280 mOhmのRDS(on)を備え、スイッチング損失が低くなっています。この製品には、堅牢なデバイスを実現する高速ボディダイオードが内蔵されています。高速ボディダイオード及び業界をリードするSMDパッケージにより、基板スペースを削減し、お客様の材料費を削減します。この製品ファミリは、超高電力密度及び最高効率の設計に合わせて設計されています。この製品は主に、超高密度充電器、アダプタ、低電力モータドライブに対応しています。600 V CoolMOS PFD7は、CoolMOS P7及びCE MOSFETテクノロジーよりも軽量及び全負荷効率が向上し、電力密度が1.8 W/インチ3増加します。

優れた切り替え耐久性
低EMI
幅広いパッケージポートフォリオ
BOMコスト削減と簡単な製造
堅牢性と信頼性
設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能