Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 10.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥384,192.50

(税抜)

￥422,612.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥153.677￥384,193
5000 - 22500￥151.20￥378,000
25000 - 35000￥148.734￥371,835
37500 - 47500￥146.257￥365,643
50000 +￥143.78￥359,450

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
911-4993
メーカー型番:
IPD60R380C6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS C6

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

380mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE

Infineon CoolMOS™C6 / C7パワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ