Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N06S404ATMA2

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,512.00

(税抜)

￥1,663.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 9,670 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥151.20￥1,512
150 - 1190￥144.60￥1,446
1200 - 1590￥138.10￥1,381
1600 - 1990￥131.50￥1,315
2000 +￥124.90￥1,249

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-4677
メーカー型番:
IPD90N06S404ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

150W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

99nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.5mm

幅

6.22 mm

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定

OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET

関連ページ