Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 2.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, IPN80R2K4P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4689
メーカー型番:
IPN80R2K4P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

6.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

高さ

1.8mm

規格 / 承認

No

幅

3.7 mm

自動車規格

なし

InfineonのCool MOSTM P7シリーズは 、800V スーパージャンクションテクノロジーの新しい業界標準として、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを合わせ持っています。これは、Infineonが 18 年以上にわたって先駆的なスーパージャンクションテクノロジーでの革新を続けてきた成果です。

製品検証対応JEDEC 規格

低スイッチング損失（Eoss）、ESD保護ダイオードを内蔵

優れた温度特性

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