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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	120A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	CoolMOS
	パッケージ型式	TO-220
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	250W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	112nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	長さ	10.36mm
	高さ	4.57mm
	規格 / 承認	No
	幅	15.95 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 120A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ CoolMOS
	パッケージ型式 TO-220
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 250W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 112nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	長さ 10.36mm
	高さ 4.57mm
	規格 / 承認 No
	幅 15.95 mm
	自動車規格なし

Datasheet - IPP030N10N5AKSA1

Infineon MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛未使用めっきリード; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

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