Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPP030N10N5AKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
梱包形態
RS品番:
222-4693
メーカー型番:
IPP030N10N5AKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

112nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

250W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

幅

15.95 mm

長さ

10.36mm

高さ

4.57mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛未使用めっきリード; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

関連ページ