Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 300 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPP410N30NAKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥3,486.00

(税抜)

￥3,834.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください

個
単価
購入単位毎合計*
2 - 10￥1,743.00￥3,486
12 - 22￥1,688.50￥3,377
24 - 30￥1,637.50￥3,275
32 - 38￥1,584.50￥3,169
40 +￥1,533.00￥3,066

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-4695
メーカー型番:
IPP410N30NAKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

44A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

300V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

65nC

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

4.57mm

長さ

10.36mm

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛フリーリードめっき; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

関連ページ