Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥24,691.00

(税抜)

￥27,160.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年10月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200￥493.82￥24,691
250 - 450￥479.52￥23,976
500 - 1200￥453.90￥22,695
1250 - 2450￥441.12￥22,056
2500 +￥428.30￥21,415

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4706
メーカー型番:
IPP65R110CFDAAKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

277.8W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

4.57mm

長さ

10.36mm

幅

15.95 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛フリーリードめっき; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

関連ページ