Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPP65R110CFDAAKSA1

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梱包形態
RS品番:
222-4707
メーカー型番:
IPP65R110CFDAAKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

277.8W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.36mm

規格 / 承認

No

幅

15.95 mm

高さ

4.57mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれ、「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

鉛フリーリードめっき; RoHS 準拠

100%アバランシェテスト済みの優れた耐熱性

IEC61249-2-23に準拠、ハロゲン未使用

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