Infineon, タイプNチャンネル, 78 A 650 V, スルーホール エンハンスメント型, 4-Pin, IPZA60R120P7XKSA1 パッケージTO-247-4
- RS品番:
- 220-7468
- メーカー型番:
- IPZA60R120P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 220-7468
- メーカー型番:
- IPZA60R120P7XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 78A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247-4 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.12Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 78A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247-4 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.12Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、 600 V CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。
600V P7により、優れたFOM RDS(on)xEossおよびRDS(on)xQGを実現
ESD強度：≥ 2kV (HBMクラス2)
ゲート抵抗器RGを内蔵
頑丈なボディダイオード
スルーホールおよび表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ
標準グレードと産業グレードの両方の部品を用利用可能
優れたFOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEossにより効率性を向上
ESD障害の発生を防止することにより、製造環境で簡単に使用可能
内蔵RGによりMOSFETの振動感度を低減
MOSFETはPFCやLLCなどのハードスイッチングトポロジーと共振スイッチングトポロジーの両方に適しています。
LLCトポロジーにおいて見られるボディダイオードの過酷な動作条件での優れた堅牢性
多様な最終用途および出力電力に最適
民生および産業用途に最適な部品を用意
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