Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 56 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 222-4862
- メーカー型番:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本30個入り) 小計：*
￥55,029.00
(税抜)
￥60,531.90
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 300 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥1,834.30 | ￥55,029 |
| 150 - 270 | ￥1,797.467 | ￥53,924 |
| 300 - 720 | ￥1,702.10 | ￥51,063 |
| 750 - 1470 | ￥1,654.133 | ￥49,624 |
| 1500 + | ￥1,606.067 | ￥48,182 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4862
- メーカー型番:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 56A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | IMZ1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 30mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 56A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ IMZ1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 30mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC™ 1200 V、30 mΩ SiC MOSFETは、TO247-4パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。
クラス最高のスイッチング損失と導通損失
ベンチマークとなる高閾値電圧、Vth =4 V >0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能
広いゲート-ソース間電圧
ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード
関連ページ
- インフィニオン MOSFET 56 A 4 ピン, IMZ120R030M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 56 A 3 ピン, IMW120R030M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET IMZ120R060M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 19 A 4 ピン, IMZ120R140M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 26 A 4 ピン, IMZ120R090M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 13 A 4 ピン, IMZ120R220M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 4.7 A 4 ピン, IMZ120R350M1HXKSA1
- インフィニオン MOSFET 53 A 4 ピン, IMZA65R030M1HXKSA1