Infineon Nチャンネル MOSFET1200 V 19 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン

Infineon CoolSiC™ 1200 V、140 mΩ SiC MOSFETは、TO247-4パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などです。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失
ベンチマークとなる高閾値電圧、Vth =4 V>0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能
広いゲート-ソース間電圧
ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード

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