Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V N, 表面 パッケージTO-247, IMZ120R060M1HXKSA1

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梱包形態
RS品番:
258-3764
メーカー型番:
IMZ120R060M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.8mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

5.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC 1200 V、60 mΩ SiC MOSFET (TO247-4パッケージ)は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、性能と信頼性を兼ね備えています。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベーススイッチと比較すると、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。これらには、1200 Vスイッチで見られる最低のゲート充電とデバイス静電容量レベル、内部コンチュータ保護ボディダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、しきい値のないオンステート特性などがあります。CoolSiC MOSFETは、パワーファクタ補正回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバータ、DC-ACインバータなどのハード及び共振スイッチングトポロジに最適です。

幅広いゲート-ソース電圧範囲

頑丈で低損失のボディダイオード、ハードコンチュータ定格

温度に依存しないターンオフスイッチング損失

最高効率

冷却力の削減

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