Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 4.7 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-247, IMZ120R350M1HXKSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,588.00

(税抜)

￥1,746.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 128 は 2026年7月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
2 - 6￥794.00￥1,588
8 - 14￥775.50￥1,551
16 - 18￥756.00￥1,512
20 - 22￥738.00￥1,476
24 +￥717.00￥1,434

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-4873
メーカー型番:
IMZ120R350M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

IMZ1

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC™ 1200 V、350 mΩ SiC MOSFETは、TO247-4パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などです。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失

ベンチマークとなる高しきい値電圧、Vth 4 V >0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能

広いゲート-ソース間電圧範囲

ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード

温度に依存しないターンオフ時のスイッチング損失

スイッチング性能を最適化するドライバソース端子

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。