Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPB60R040CFD7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4887
メーカー型番:
IPB60R040CFD7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

IPA60R

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600VのCoolMOS™ CFD7 スーパージャンクション MOSFET IPB60R040CFD7(D2PAKパッケージ)は、サーバー、通信、EV 充電ステーションなどの高出力スイッチング電源における共振トポロジに最適で、効率を大幅に向上させます。CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品として、ゲート電荷量の低減、ターンオフ特性の改善、競合製品と比較して最大69%の逆回復電荷の低減を実現しています。

クラス最高のハードコミュテーション堅牢性

共振トポロジに適したきわめて高い信頼性

優れた使いやすさと性能の両立しながら、きわめて高い効率を実現

より高い電力密度のソリューションに対応可能

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