Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO263-3, IPB65R115CFD7AATMA1

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RS品番:
273-2779
メーカー型番:
IPB65R115CFD7AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO263-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.115Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大許容損失Pd

114W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFETは、650 VのCoolMOS CFD7A電源デバイスで、Infineonの市場をリードする最新世代の自動車認定高電圧CoolMOS MOSFETです。自動車産業で必要とされる高品質と信頼性のよく知られた特性に加え、新しいCoolMOS CFD7Aシリーズは、高速ボディダイオードを内蔵し、ZVS相スイッチフルブリッジやLLCなどのPFC及び共振スイッチングトポロジに使用できます。

スイッチング損失の低減

高品質と信頼性

100 %バランステスト済み

高いバッテリ電圧に最適化

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