Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK, IPL60R075CFD7AUMA1

RS品番:: 222-4912
メーカー型番:: IPL60R075CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK, IPL60R075CFD7AUMA1

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60 - 598	￥550.00	￥1,100
600 - 1198	￥480.00	￥960
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RS品番:: 222-4912
メーカー型番:: IPL60R075CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	33A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	ThinPAK
	シリーズ	IPL60R
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	75mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	最大許容損失Pd	189W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	67nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	8.1mm
	幅	8.1 mm
	高さ	1.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 33A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 ThinPAK
	シリーズ IPL60R
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	最大許容損失Pd 189W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -40°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 67nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 8.1mm
	幅 8.1 mm
	高さ 1.1mm
	自動車規格なし

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7は、高速ボディダイオードを内蔵した、Infineonの最新の大電力スーパージャンクションMOSFETテクノロジーであり、CoolMOS 7シリーズのラインアップを補完するものです。CoolMOS™ CFD7は、ゲート電荷（Qg）の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷（Qrr）低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間（trr）などを実現しています。

きわめて高速なボディダイオード

クラス最良の逆回復電荷（Qrr）

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの堅牢性向上

きわめて低いFOM（RDS(on) x Qg）と Eoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ