Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 8x8, IPL65R095CFD7AUMA1

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梱包形態
RS品番:
240-6615
メーカー型番:
IPL65R095CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

ThinPAK 8x8

シリーズ

IPL

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

95mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

171W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

長さ

8.1mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon 650 V CoolMOSTM CFD7スーパージャンクションMOSFET は、ThinPAK 8 x 8 パッケージ。 サーバー、 通信、 太陽光発、 EV充電ステーションなどの産業用途での共振トポロジに最適で、競争力の大幅な効率向上を実現しています。CFD2 SJ MOSFETの後継品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減を実現し、最高の効率と電力密度、さらに50Vの耐圧を実現しています。

競合製品に比べスイッチング損失を大幅に低減

バス電圧の上昇に伴う設計の安全マージンの追加

産業用SMPS用途における全負荷効率の向上

高電力密度

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