Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 33 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK

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RS品番:
222-4910
メーカー型番:
IPL60R075CFD7AUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

ThinPAK

シリーズ

IPL60R

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

67nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

189W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

幅

8.1 mm

長さ

8.1mm

自動車規格

なし

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7は、高速ボディダイオードを内蔵した、Infineonの最新の大電力スーパージャンクションMOSFETテクノロジーであり、CoolMOS 7シリーズのラインアップを補完するものです。CoolMOS™ CFD7は、ゲート電荷（Qg）の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷（Qrr）低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間 （trr）などを実現しています。

きわめて高速なボディダイオード

クラス最良の逆回復電荷（Qrr）

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの堅牢性向上

きわめて低いFOM（RDS(on) x Qg）と Eoss

クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ

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