Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 75 V, 230 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥402,336.00

(税抜)

￥442,570.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000￥201.168￥402,336
4000 - 18000￥198.21￥396,420
20000 - 28000￥195.252￥390,504
30000 - 38000￥192.293￥384,586
40000 +￥189.335￥378,670

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
244-0890
メーカー型番:
AUIRFR5305TR
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

230A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

AUIRFS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineonが車載用途向けに設計したMOSFETとして、このHEXFET®パワーMOSFETのセルラープレーナー設計は、シリコン面積当たりの低オン抵抗を実現する最新のプロセス技術を利用しています。

高度なプレナー技術

低オン抵抗

動的dv/dt定格

動作温度：175 °C

関連ページ