Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 120 mA, 60 Ω, 3.7 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
225-0554
メーカー型番:
BSP135IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

BSP135I

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.7nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.8mm

長さ

6.7mm

幅

3.7mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon BSP135IシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流120mA - BSP135IXTSA1


このMOSFETは、過酷な動作条件下で表面実装電力制御用に設計された高電圧Nチャンネル消費デバイスです。スイッチングおよび電流制御コンポーネントとして機能し、過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作しながら、高いドレイン-ソース間ストレスに対応できます。

特長:


• 600Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングが可能
• 60Ωの最大RDS(on)により、低オン状態の伝導損失を実現
• 1.8Wの最大消費電力により、低い熱負荷に対応
• 120mAの連続ドレイン電流により、安定した低電流用途に対応
• 3.7nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、堅牢なゲート処理を実現

用途


• 電源の高電圧スイッチング回路に最適
• コンポーネントの堅牢性を必要とする自動車用電子機器に最適
• コンパクトボードの表面実装アセンブリと併用
• 制御回路の電流制限や検出に使用可能
• -55°C~150°Cの熱ストレス環境に最適

プリント基板組立にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?


表面実装用に構成されたSOT-223パッケージで提供されます。

どのような電極および導通モードを採用していますか?


このデバイスはNチャンネルで、デプレッションモードで動作します。

基板レイアウトを考慮するために、どのようなピン数が利用可能ですか?


このコンポーネントは、接続および取り付け用の4つのピンを備えています。

エンクロージャ設計には、どのような物理的プロファイルを許容する必要がありますか?


このコンポーネントの長さは6.7 mm、幅は3.7 mm、高さは1.8 mmです。

車両用途において、どのような自動車適合基準に適合していますか?


AEC‐Q101自動車用コンポーネント規格に適合しています。

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