Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 190 mA デプレッション型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥19,440.00

(税抜)

￥21,390.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥6.48￥19,440
15000 - 27000￥6.348￥19,044
30000 - 72000￥6.008￥18,024
75000 - 147000￥5.844￥17,532
150000 +￥5.672￥17,016

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
225-0556
メーカー型番:
BSS123IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

190mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSS123I

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大許容損失Pd

0.5W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.63nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.8mm

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

自動車規格

なし

Infineon BSS123Iは、小信号・小電力のN-およびPチャネルMOSFETであり、広範囲のVGS(th)レベルとRDS(on)値、および複数の電圧クラスを提供します。このMOSFETにはエンハンスメントモードとデプレーションモードのオプションがあります。

PCBスペースの節約とコスト削減

ゲートドライブの柔軟性

設計の複雑さを軽減

環境に優しい

高い総合効率

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。