Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 190 mA, 10 Ω, 0.63 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
225-0556
メーカー型番:
BSS123IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

190mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

BSS123I

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

0.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.63nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.7mm

幅

3.7mm

規格 / 承認

No

高さ

1.8mm

自動車規格

なし

Infineon BSS123IシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100V、最大連続ドレイン電流190mA - BSS123IXTSA1


このMOSFETは、表面実装用途向けに設計された小信号Nチャンネルトランジスタで、幅広い温度範囲でスイッチングおよび増幅機能を提供します。低電流処理と中程度の電圧容量を備えたデプロイモードデバイスを必要とする回路向けに設計されており、SOT-223パッケージと保守的な電力処理が必要なコンパクトなアセンブリに適しています。

特長:


• 100 Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 10Ωの最大RDS(on)により、オン状態の伝導を制御
• 190 mAの連続ドレイン電流により、低電流負荷に対応
• 0.5Wの消費電力により、限られたレイアウトでの熱ストレスを制限
• 0.63 nCの標準ゲート電荷により、低いスイッチングエネルギー要件を実現
• ±20 Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブの柔軟性を実現

用途


• 制御回路の低電流高電圧スイッチングに使用
• コンパクトボードの表面実装電源管理に最適
• アナログ信号減衰またはプルダウン機能に最適
• 混合電圧システムのレベルシフトに使用可能
• デプレッションモード特性を必要とするドライバステージで使用

動作温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで正しく動作するように設定されています。

ボードを配置する際に、設計者はどのようなパッケージを計画する必要がありますか?


このデバイスは、プリント基板フットプリントプログラミング用の4ピンを備えたSOT-223表面実装パッケージに収められています。

ゲート充電はスイッチング性能にどのように影響しますか?


0.63 nCの標準ゲート電荷は、必要なゲートドライブエネルギーを低減し、スイッチングトポロジにおける移行速度に影響を与えます。

用途での最大連続電流の制限は何ですか?


指定された190 mAの連続ドレイン電流は、持続動作のための熱および伝導制限を定義します。

自動車グレードのコンポーネントとして使用しますか?


自動車規格に基づいて分類されておらず、自動車規格に適合するとは考慮しないでください。

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