Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 120 mA, 60 Ω, 3.7 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 225-0555
- メーカー型番:
- BSP135IXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥828
(税抜)
￥911
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 150 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥82.80 | ￥828 |
| 50 - 440 | ￥74.50 | ￥745 |
| 450 - 590 | ￥65.90 | ￥659 |
| 600 - 790 | ￥57.10 | ￥571 |
| 800 + | ￥48.70 | ￥487 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 225-0555
- メーカー型番:
- BSP135IXTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | BSP135I | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 60Ω | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.7mm | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 120mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ BSP135I | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60Ω | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.7nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.7mm | ||
高さ 1.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.7mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSP135IシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流120mA - BSP135IXTSA1
このMOSFETは、過酷な動作条件下で表面実装電力制御用に設計された高電圧Nチャンネル消費デバイスです。スイッチングおよび電流制御コンポーネントとして機能し、過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作しながら、高いドレイン-ソース間ストレスに対応できます。
特長：
• 600Vのドレインソース間定格により、高電圧スイッチングが可能
• 60Ωの最大RDS(on)により、低オン状態の伝導損失を実現
• 1.8Wの最大消費電力により、低い熱負荷に対応
• 120mAの連続ドレイン電流により、安定した低電流用途に対応
• 3.7nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、堅牢なゲート処理を実現
• 60Ωの最大RDS(on)により、低オン状態の伝導損失を実現
• 1.8Wの最大消費電力により、低い熱負荷に対応
• 120mAの連続ドレイン電流により、安定した低電流用途に対応
• 3.7nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 最大20 Vのゲートソース耐性により、堅牢なゲート処理を実現
用途
• 電源の高電圧スイッチング回路に最適
• コンポーネントの堅牢性を必要とする自動車用電子機器に最適
• コンパクトボードの表面実装アセンブリと併用
• 制御回路の電流制限や検出に使用可能
• -55°C～150°Cの熱ストレス環境に最適
• コンポーネントの堅牢性を必要とする自動車用電子機器に最適
• コンパクトボードの表面実装アセンブリと併用
• 制御回路の電流制限や検出に使用可能
• -55°C～150°Cの熱ストレス環境に最適
プリント基板組立にはどのようなパッケージタイプを使用しますか?
表面実装用に構成されたSOT-223パッケージで提供されます。
どのような電極および導通モードを採用していますか?
このデバイスはNチャンネルで、デプレッションモードで動作します。
基板レイアウトを考慮するために、どのようなピン数が利用可能ですか?
このコンポーネントは、接続および取り付け用の4つのピンを備えています。
エンクロージャ設計には、どのような物理的プロファイルを許容する必要がありますか?
このコンポーネントの長さは6.7 mm、幅は3.7 mm、高さは1.8 mmです。
車両用途において、どのような自動車適合基準に適合していますか?
AEC‐Q101自動車用コンポーネント規格に適合しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 600 V 60 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 45 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 60 mΩ パッケージ：PG-SOT223
- Infineon MOSFET 100 V 10 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 60 V 120 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 5 A, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 200 V 1.8 Ω 4ピン, パッケージ：SOT-223