Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 321 A, 1.7 mΩ, 165 nC, 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- RS品番:
- 351-906
- メーカー型番:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
- RS品番:
- 351-906
- メーカー型番:
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 321A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | PG-HSOF-8 | |
| シリーズ | IPT0 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 165nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.58mm | |
| 高さ | 1.3mm | |
| 幅 | 10.1mm | |
| 規格 / 承認 | Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 321A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 PG-HSOF-8 | ||
シリーズ IPT0 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 165nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.58mm | ||
高さ 1.3mm | ||
幅 10.1mm | ||
規格 / 承認 Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンIPT0シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 321A - IPT017N10NM5LF2ATMA1
このMOSFETは、大電流処理能力と高い耐熱性が求められる厳しいスイッチング用途向けに設計された高出力Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作し、小型電源モジュールに適した8ピン表面実装パッケージで提供されます。このデバイスはハロゲンフリーおよびRoHS規格に準拠し、自動車認証を必要としないシステムで、安定した導通およびスイッチング性能が求められる用途向けです。
特長：
• ドレイン耐圧 100V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 321A により、高負荷動作に対応
• 1.7mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 375W により、高い熱負荷処理能力を確保
• ゲート電荷 165nC により、制御されたスイッチング遷移が可能
• 順方向電圧 1.2V により、ダイオードの導通損失を最小限に低減
• 連続ドレイン電流 321A により、高負荷動作に対応
• 1.7mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 375W により、高い熱負荷処理能力を確保
• ゲート電荷 165nC により、制御されたスイッチング遷移が可能
• 順方向電圧 1.2V により、ダイオードの導通損失を最小限に低減
用途
• 高出力DC-DCコンバータおよびインバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• 表面実装MOSFETが必要な電源モジュールで使用
• サーバーおよび通信機器の電力分配に使用可能
• 再生可能エネルギーシステムのエネルギー変換に適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• 表面実装MOSFETが必要な電源モジュールで使用
• サーバーおよび通信機器の電力分配に使用可能
• 再生可能エネルギーシステムのエネルギー変換に適合
基板上の熱管理に影響するパッケージ特性は何ですか？
このデバイスはPG-HSOF-8表面実装パッケージで提供され、大面積の銅箔または専用のヒートシンクプレーンにはんだ付けすることで、低インダクタンスのレイアウトと良好な熱伝達が可能です。
ゲート電圧定格はゲート駆動設計にどのように影響しますか？
最大ゲート-ソース間定格電圧は 20V のため、導通時に低オン抵抗を得るための十分な駆動能力を確保しながら、この上限を超えないゲートドライバを選定する必要があります。
動作時に対応可能な周囲温度範囲はどのくらいですか？
このコンポーネントの動作温度範囲は -55～175°C で、極端な周囲温度や高いジャンクション温度にさらされるシステムで使用できます。
車載用途に関する制限はありますか？
このデバイスは自動車規格品として分類されていないため、車載グレード認証が必須の用途には採用しないでください。
関連ページ
- Infineon MOSFET 120 V 1.7 mΩ パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 100 V 2.3 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 80 V 2.9 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 80 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 200 V 12.9 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon MOSFET 120 V 1.7 mΩ パッケージ：PG-HSOF-8-1
- Infineon パワー トランジスタ 135 V 2 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8
- Infineon パワー トランジスタ 200 V 6.7 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-HSOF-8