Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 321 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT017N10NM5LF2ATMA1

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RS品番:
351-906
メーカー型番:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

321A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

IPT0

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

165nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Max

175°C

幅

10.1 mm

規格 / 承認

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

高さ

1.30mm

長さ

10.58mm

自動車規格

なし

Infineon のクラス最高の OptiMOS 5 リニア FET 2 100 V（TO-Leadless（TOLL）パッケージ）は、業界最低の RDS(on) と 25˚C での広い SOA を実現します。OptiMOS 5 Linear FET 2 テクノロジーと TOLL パッケージの組み合わせにより、ホットスワップ、E-Fuse、バッテリー管理システム （BMS） 内のバッテリー保護などの突入電流保護用途向けに、最高の電力密度を提供するように設計されています。

広い安全動作領域（SOA）

低 RDS(on)

リニア FET より低い IGSS

最適化された伝達特性

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