Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 321 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT017N10NM5LF2ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,370.00

(税抜)

￥2,607.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,990 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 18￥1,185.00￥2,370
20 - 198￥1,066.50￥2,133
200 +￥984.00￥1,968

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
351-906
メーカー型番:
IPT017N10NM5LF2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

321A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

IPT0

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

165nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

1.30mm

幅

10.1 mm

規格 / 承認

Halogen-Free (IEC61249-2-21), RoHS, JEDEC

長さ

10.58mm

自動車規格

なし

Infineon のクラス最高の OptiMOS 5 リニア FET 2 100 V（TO-Leadless（TOLL）パッケージ）は、業界最低の RDS(on) と 25˚C での広い SOA を実現します。OptiMOS 5 Linear FET 2 テクノロジーと TOLL パッケージの組み合わせにより、ホットスワップ、E-Fuse、バッテリー管理システム （BMS） 内のバッテリー保護などの突入電流保護用途向けに、最高の電力密度を提供するように設計されています。

広い安全動作領域（SOA）

低 RDS(on)

リニア FET より低い IGSS

最適化された伝達特性

関連ページ