型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 137 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）

RS品番:: 225-9942
メーカー型番:: SQJ123ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 137 A, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）

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6000 - 27000	￥95.838	￥287,514
30000 - 42000	￥94.093	￥282,279
45000 - 57000	￥92.339	￥277,017
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RS品番:: 225-9942
メーカー型番:: SQJ123ELP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	137A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	12V
	シリーズ	P-Channel 12 V
	パッケージ型式	PowerPAK （8x8L）
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6.6mΩ
	順方向電圧 Vf	-0.76V
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	120nC
	最大許容損失Pd	375W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	長さ	10.41mm
	幅	6.73 mm
	高さ	2.38mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 137A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V
	シリーズ P-Channel 12 V
	パッケージ型式 PowerPAK （8x8L）
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.6mΩ
	順方向電圧 Vf -0.76V
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 120nC
	最大許容損失Pd 375W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	長さ 10.41mm
	幅 6.73 mm
	高さ 2.38mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SQJ123ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix は、半導体技術とパッケージの信頼性に関する信頼性データを維持し、すべての認定済みロケーションを組み合わせています。

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

薄い 1.6 mm パッケージ

非常に低い熱抵抗